深圳市耶宝国际微纳米芯片研究院


深圳耶宝国际微纳米芯片研究院简介

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深圳市耶宝国际微纳米芯片研究院承担(以下简称“耶宝研究院”)的设立旨在整合中美两国领先技术和资源,构建世界级创新型人才库,打造世界级研发机构,助推我国科技产业发展,提高国际竞争力和影响力。

一、耶宝研究院成立历程

美国国际华人科技工商协会及其主席李大西,根据协会的人才优势和我国发展形势,决定在半导体芯片技术方面首先做出突破性尝试,引进并成立微纳米芯片研究院。经多轮洽谈与磋商,确定引进设立的深圳市耶宝国际微纳米芯片研究院院长、首席科学家,为世界半导体权威、美国半导体芯片领域的泰斗马佐平院士,其团队核心成员主要为台湾到美国的芯片方面的顶尖人才。

耶宝研究院是在各行各界领导关注、关心、支持下成立的:

20165月,广东省委书记胡春华访美期间,在美国国际华人科技工商协会李大西主席的极力推荐和各方面共同努力下,促成了马佐平院士及其团队与深圳民营企业宝鹰集团、耶鲁大学基金会的正式签约。

20169月,深圳市委常委、统战部部长林洁率领深圳代表团访美期间,考察了美国国际华人科技工商协会创投中心,与研究院团队核心专家进行了深入交流。同时,热情邀请美国国际华人科技工商协会及研究院项目核心成员尽快来深,加速推进研究院落户深圳。

20161013日,美国国际华人科技工商协会李大西主席与马佐平院士及团队成员组成“美国国际华人科技工商协会代表团”,得到时任省委副书记、市委书记马兴瑞的接见,并对研究院规划建设等方面达成共识。

20161110日,研究院正式注册成立,各方面的落地建设工作也紧锣密鼓的展开。目前,在多方面努力协作下,研究院在技术产业化布局、人才团队引进方面,已取得显著成绩。

耶宝研究院由马佐平院士担任院长、首席科学家。研究院核心成员均为马院士多年项目合作团队成员。马佐平院士及其团队成员均为我国台湾人士,立志将马院士在铁电存储器领域的毕生研究成果带领回国,推动我国芯片产业的发展。

马佐平院士及其团队将带来可献给我国的重大突破性的芯片科技:铁电动态存储器(FeDRAM)具有功耗超低、速度快、与现有工艺兼容的显著特点,可以实现进口替代、取代目前的动态存储器(DRAM),是半导体存储器技术的重大突破。

二、耶宝研究院组织规划

深圳耶宝国际微纳米芯片研究院由团队核心成员陈荣庭博士担任执行院长。同时,耶宝研究院邀请国际知名的专家担任高级技术及市场顾问,负责筹备规划及日常运作管理。

耶宝研究院根据项目研发情况,下设三个研究所,确保本项目的各个分项协同开发:

1)三维铁电动态存储器(3D FeRAM)研究所由荆凤德博士担任所长, 荆博士是电子材料、化合物半导体器件与电路世界权威,国际电机电子工程师学会Fellow、美国光学学会Fellow、亚太材料学院院士,将引领发展:三维铁电动态存储器(3D FeDRAM/三维铁电闪存存储器(3D FeNAND)。

2)铁电随机存取存储器(FeRAM)研究所由陈荣庭博士担任所长,陈博士是美国芯片领域知名专家,AUCMOS Technologies Corporation首席执行官、创始人之一。陈博士曾担任台湾台积电(TSMC)和美国San Disk公司的高级经理、主管职务,已发表了20多篇国际论文,并授予50余项美国专利。陈博士在半导体工艺的技术开发、流程整合和项目管理方面拥有超过25年的工作经验,其技术专长是在垂直薄膜晶体管、3D存储器的开发、铁电存储器开发,以及新兴晶体管器件的开发等领域。

3)铁电动态随机存取存储器(FeDRAM)研究所由谢明辉博士担任所长,谢博士是美国超微/飞索研发主任,在非挥发性记忆集成电路设计和先进存储架构技术等领域拥有超过30项专利和论文。

    




 

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